
电铸晶圆模板
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电铸晶圆模板依托精密电化学原子沉积成型原理,结合半导体级光刻对位、无尘精密制程管控,从工艺根源彻底解决传统晶圆模板的加工短板,适配高精度晶圆封装生产需求。整套生产流程遵循半导体精密零部件无尘生产标准,基材选用高纯度氨基磺酸镍材质,材质致密均匀、纯度高、电性稳定、耐磨损抗老化,杜绝基材杂质引发的成型缺陷。
生产前期通过纳米级高精度光刻制版技术,准确复刻晶圆高密度微孔阵列、异形定位孔、对位基准结构,微米级精细对位,杜绝孔位偏移、图形失真、阵列错位等问题。核心成型环节采用智能分段电铸沉积工艺,匀速均匀沉积镍层,全程恒温恒压管控,保障整张模板厚度均匀、内应力低、无隐性形变缺陷。成型后经过多级精密抛光、去应力硬化、纳米防粘耐磨处理,彻底清除板面细微瑕疵,开孔内壁光滑垂直、无毛刺、无侧蚀、无阶梯纹路,有效解决锡膏、锡球残留堆积问题,保障每一次印刷、植球出料均匀稳定,大幅降低封装不良率。
产品整体尺寸公差、孔径公差均可稳定控制在微米级,板体平面度高、张力均匀、长期使用不易翘曲变形,适配全自动晶圆高速印刷、植球设备持续量产。
可灵活定制超密微孔阵列、微纳异形开孔、局部加厚减薄、对位基准定位结构等非标结构,针对不同芯片封装工艺、锡膏粒径、植球规格、印刷参数进行专属工艺优化。
模板经过硬化与防粘处理,耐磨性能优异、使用寿命更长,不易产生堵孔、积锡问题,大幅减少设备停机擦拭频次,有效提升产线稼动率与量产效率,适配半导体工厂高负荷、高精度、高稳定性的生产要求。
适配 WLP、Fan-out 扇出封装整片晶圆锡膏印刷与微凸点制作,保障整片晶圆工艺一致性,提升芯片封装精度
用于 BGA、CSP、FC 倒装芯片精密植球制程,控制锡球大小与排布间距,杜绝连球、漏球、虚焊问题
适配车载芯片、工控芯片、通讯芯片、消费电子高端芯片精密封装,满足车规、工规严苛品质标准
适配半导体前沿研发试验需求,可实现微尺度复杂图形成型,满足多类型工艺验证、试样试制,助力科研项目快速迭代
针对微纳级器件的精密加工场景,实现超密微孔、微小异形结构成型,保障微纳器件关键结构的尺寸精度与一致性
面向各类微型电子元器件封装制程,保障锡膏、胶体均匀涂布,改善印刷偏移、填料不均等问题,提升元器件封装可靠性
经验积淀
工艺迭代
快速交付
作为长三角地区的半导体电铸晶圆模板源头厂家,南通卓力达配备专属无尘电铸生产车间、微米级精密检测设备与智能化生产系统,从光刻制版、电铸成型、精密处理、精度检测到成品出货,全程自主闭环管控,严格把控每一道生产工序,保障产品精度、品质与交期。
相较于传统加工工艺,电铸增材工艺无应力、无热损伤、成型精度更高、批量一致性更好,可适配晶圆封装的超高精度制程需求。
技术团队可根据客户晶圆规格、封装工艺、设备参数、产品需求,定制专属精密晶圆模板解决方案,助力客户提升封装良率、降低生产成本、提速产品量产,持续为半导体高端封装行业提供高精度、高稳定、一站式的电铸晶圆模板定制量产服务。
对金属板基材进行清洗、脱脂除油处理。
在基材表面涂覆一层感光涂层,即光刻胶。
采用紫外激光直接成像(LDI)对基材曝光,将 CAD 零件图形投射并转移至基材表面。曝光区域内光刻胶发生固化,使图形化的基材表面划分出导电区与非导电区。
由持证技术人员使用专用检测设备开展尺寸与外观检测,核实产品符合规格要求。
将电铸成型零件从母模上剥离分离。可通过调整电铸工艺获得不同产品特性。例如:采用薄光刻胶,让金属向外生长,零件厚度大于光刻胶厚度,零件外部轮廓由电沉积成型,该工艺叫做过生长电铸。
电沉积工序在电解槽内完成,包含阳极、阴极两组电极以及电解液。将母模置入电解槽,电极向电解液通入直流电。直流电使金属离子还原为金属原子,原子持续沉积在母模导电区域,直至金属达到目标厚度。
对图形化基材做显影处理,去除未曝光的光刻胶,裸露出导电区域;随后冲洗、烘干。完成图形化处理的基材自此称作母模(零件模芯)。
卓力达精密电铸加工,适用于精密金属滤网、微细孔结构、异形金属件、薄型金属部件及复杂微结构零件制造。
工艺精度高、边缘光洁,可根据图纸、样品或工况需求定制孔径、厚度、材质与表面状态,提供从打样到批量生产的一站式加工服务。
卷对卷蚀刻,又叫卷材连续化学蚀刻,是将成卷金属卷材不间断输送,连续完成涂布、曝光、显影、蚀刻、清洗、收卷的自动化化学腐蚀加工工艺,是精密金属零件量产的核心工艺,常用来加工卷材蚀刻滤网、引线框架、金属弹片、微孔带材。很多制造企业在大批量生产精密超薄金属件时,对比单张片式蚀刻,卓力达卷对卷蚀刻可以...... 【详情+】
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